韓媒稱中國半導體領域仍落後 但韓國已感到巨大威脅

2018年11月14日     1,578     檢舉

人民網(來源:參考消息)

韓媒稱,韓國半導體行業紛紛開始著手應對中國的半導體追擊,試圖甩開與中國的技術差距。韓國半導體行業的兩大巨頭三星電子和SK海力士接連開始量產世界頂級技術的存儲晶片,加快擴大與中國的技術差距。

據韓國《中央日報》11月13日報道,SK海力士11月12日表示,公司研發出了應用第二代10納米級(1y)微加工技術的8Gb DDR4 DRAM(動態隨機存儲器)。該產品比此前第一代(1x)的生產效率提高了20%,耗電率降低了15%。傳送數據時可以一次交換的信號量增加到以前的兩倍,將數據傳送速度提高到了行業最高水平。SK海力士負責D Lab市場推廣的金石(音)常務表示,「就好比增加高速公路收費處的數量,車輛行駛可以更加通暢,就是這個原理」,「明年第一季度我們將陸續量產用於電腦和伺服器的新產品,並將儘快推出用於手機的產品」。

三星電子去年11月開始批量生產技術水平相仿的DRAM(動態隨機存取存儲器),今年7月已經開始量產應用更先進的第二代10納米級(1y)微加工技術的16Gb手機用DRAM。

報道稱,進入歷史最繁榮周期的韓國半導體產業面臨的最大威脅便是中國的猛烈追擊。

報道稱,業界普遍認為,目前中國存儲晶片的技術水平比韓國落後3-5年。雖然如此,中國的半導體追擊依然是引發需求激增的半導體行業出現「價格觸頂」爭議的主要原因。

報道稱,目前中國計劃批量生產的存儲晶片與韓國產品的需求層並不相同。比如說,中國YMTC(長江存儲)宣布將在明年批量生產的半導體屬於32層3D Nand快閃記憶體,這是三星電子和SK海力士從2014年開始批量生產的產品,目前兩家企業基本已經不再生產這種產品。目前三星和SK海力士生產的主力產品是64-72層3D Nand快閃記憶體,與中國企業拉開了巨大的技術差距。Nand快閃記憶體用來增加電路的「層數」越多,就需要越高的技術水平,即使同樣「層數」的產品,也根據技術水平分為多個級別。三星電子2012年推出20納米級(2y)DRAM產品後,直到5年後的2017年11月才開始批量生產下一級別的第二代10納米級DRAM產品。

在Nand快閃記憶體領域,三星電子已經開始為批量生產第六代(120層以上)產品做準備。

不過,雖然目前還擁有巨大的技術差距,但韓國半導體行業一致認為,中國的技術發展速度對韓國半導體行業產生了巨大威脅。報道認為,如果中國正式開始大批量供應半導體產品,半導體的價格必然會出現下降。全球市場研究公司DRAMeXchange預計,明年DRAM的價格將比今年下降15%-20%,Nand快閃記憶體的價格將會下降25%-30%之多。漢陽大學融合電子工程系朴在勤教授表示,「雖然需求群體並不相同,但由於心理因素等的影響,價格下滑將不可避免」。

報道稱,現在三星電子已經開始引進生產10納米級以下新一代DRAM的極紫外光刻(EUV)生產線,SK海力士也將在年底開始量產96層4D Nand快閃記憶體半導體。三星電子存儲晶片事業部負責營銷的專務全世元(音)表示,「我們將擴大高端DRAM生產線,持續主導超高速、大容量、超省電的存儲晶片發展趨勢」。

資料圖片:韓國海力士半導體公司生產的高速存儲器。(新華社/法新社)